Биполярный транзистор PMD18D80 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: PMD18D80
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 300 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 50 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 1200 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 1000
Корпус транзистора: TO3
PMD18D80 Datasheet (PDF)
pmd18d100.pdf
PMD18D100SEMELABMECHANICAL DATANPN DARLINGTONDimensions in mmPOWER TRANSISTOR26.6 max. 9.0 max.FEATURES4. 22. 5 TO3 PACKAGE 100V 100A PEAKB E 300 WATTSDESCRIPTIONThe PMD18D100 is an NPN Darlington10.912.8Power Transistor in a hermetic TO3 package.The device is a monolothic epitaxial structureTO3 Package.with built in base-emitter shunt r
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050