PMD19D80 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PMD19D80
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 300 W
Tensión colector-base (Vcb): 80 V
Tensión colector-emisor (Vce): 80 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 50 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 200 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Capacitancia de salida (Cc): 1200 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 800
Paquete / Cubierta: TO3
Búsqueda de reemplazo de PMD19D80
PMD19D80 Datasheet (PDF)
Otros transistores... PMBT4401YS , PMBT4403YS , PMBTA42DS , PMBTA44 , PMD1047 , PMD18D100 , PMD18D80 , PMD19D100 , BC639 , PMD2001D , PMD20K200 , PMD2495 , PMD3001D , PMD313 , PMD718 , PMD880 , PMD9001D .
History: 2SC856 | MJE801T | 2SC4030 | NTE103 | PBLS2003S | BFP619 | KSC3074O
History: 2SC856 | MJE801T | 2SC4030 | NTE103 | PBLS2003S | BFP619 | KSC3074O



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
f1010e mosfet datasheet | 2sa566 | bc559 equivalent | c2075 transistor | ecg123 | 2n5551 transistor equivalent | 13009 datasheet | 3dd15d transistor