PMD19D80. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: PMD19D80
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 300 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 50 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 200 °C
Электрические характеристики
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 1200 pf
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 800
Корпус транзистора: TO3
Аналоги (замена) для PMD19D80
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
PMD19D80 даташит
Другие транзисторы: PMBT4401YS, PMBT4403YS, PMBTA42DS, PMBTA44, PMD1047, PMD18D100, PMD18D80, PMD19D100, BC556, PMD2001D, PMD20K200, PMD2495, PMD3001D, PMD313, PMD718, PMD880, PMD9001D
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
f1010e mosfet datasheet | 2sa566 | bc559 equivalent | c2075 transistor | ecg123 | 2n5551 transistor equivalent | 13009 datasheet | 3dd15d transistor


