PNT723T503E0-2 Todos los transistores

 

PNT723T503E0-2 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PNT723T503E0-2
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W
   Tensión colector-base (Vcb): 80 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
   Tensión emisor-base (Veb): 11 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.15 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 200 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 3.5 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 250
   Paquete / Cubierta: SOT723
 

 Búsqueda de reemplazo de PNT723T503E0-2

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

PNT723T503E0-2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:151K  prisemi
 pnt723t503e0-2.pdf pdf_icon

PNT723T503E0-2

PNT723T503E0-2 High EB High DC gain Ultra-Small package switch transistorFeature This device is Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and RoHS compliant. 3 - Collector Package: SOT-723 1 - Base Emitter -Base Breakdown Voltage 11V High DC current gain typical 380 Low Saturation Voltage 80mv 0.15 continuous collector current 2 - Emitter NPN switch transistor Mechan

Otros transistores... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , 2SC4793 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .

History: PUMB19 | BR3197

 

 
Back to Top

 


 
.