PNT723T503E0-2 Todos los transistores

 

PNT723T503E0-2 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PNT723T503E0-2
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W
   Tensión colector-base (Vcb): 80 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
   Tensión emisor-base (Veb): 11 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.15 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 200 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 3.5 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 250
   Paquete / Cubierta: SOT723
 

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PNT723T503E0-2 Datasheet (PDF)

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PNT723T503E0-2

PNT723T503E0-2 High EB High DC gain Ultra-Small package switch transistorFeature This device is Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and RoHS compliant. 3 - Collector Package: SOT-723 1 - Base Emitter -Base Breakdown Voltage 11V High DC current gain typical 380 Low Saturation Voltage 80mv 0.15 continuous collector current 2 - Emitter NPN switch transistor Mechan

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