PNT723T503E0-2 - описание и поиск аналогов

 

PNT723T503E0-2. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PNT723T503E0-2

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 11 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3.5 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 250

Корпус транзистора: SOT723

 Аналоги (замена) для PNT723T503E0-2

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

PNT723T503E0-2 даташит

 ..1. Size:151K  prisemi
 pnt723t503e0-2.pdf pdf_icon

PNT723T503E0-2

PNT723T503E0-2 High EB High DC gain Ultra-Small package switch transistor Feature This device is Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and RoHS compliant. 3 - Collector Package SOT-723 1 - Base Emitter -Base Breakdown Voltage 11V High DC current gain typical 380 Low Saturation Voltage 80mv 0.15 continuous collector current 2 - Emitter NPN switch transistor Mechan

Другие транзисторы: PN2222ARLRAG, PN2222ARLRMG, PN2222ARLRPG, PN2222-H, PN2222-L, PN4209, PNT23T503E0-2, PNT523T503E0-2, BC337, PNTET50V01, PPT523T503E0-2, PPT89T30V5AE2M, PPT8N30E2, PQMD12, PT236T30E2, PT236T30E2H, PT236T30E2M

 

 

 

 

↑ Back to Top
.