Справочник транзисторов. PNT723T503E0-2

 

Биполярный транзистор PNT723T503E0-2 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: PNT723T503E0-2
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 11 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 3.5 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 250
   Корпус транзистора: SOT723
 

 Аналог (замена) для PNT723T503E0-2

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

PNT723T503E0-2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:151K  prisemi
 pnt723t503e0-2.pdf pdf_icon

PNT723T503E0-2

PNT723T503E0-2 High EB High DC gain Ultra-Small package switch transistorFeature This device is Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and RoHS compliant. 3 - Collector Package: SOT-723 1 - Base Emitter -Base Breakdown Voltage 11V High DC current gain typical 380 Low Saturation Voltage 80mv 0.15 continuous collector current 2 - Emitter NPN switch transistor Mechan

Другие транзисторы... PN2222ARLRAG , PN2222ARLRMG , PN2222ARLRPG , PN2222-H , PN2222-L , PN4209 , PNT23T503E0-2 , PNT523T503E0-2 , D882 , PNTET50V01 , PPT523T503E0-2 , PPT89T30V5AE2M , PPT8N30E2 , PQMD12 , PT236T30E2 , PT236T30E2H , PT236T30E2M .

History: WTD772 | BC275C

 

 
Back to Top

 


 
.