PNTET50V01 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PNTET50V01
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.125 W
Tensión colector-base (Vcb): 50 V
Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Ganancia de corriente contínua (hfe): 120
Paquete / Cubierta: SOT523
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar PNTET50V01
PNTET50V01 Datasheet (PDF)
pntet50v01.pdf
PNTET50V01 NPN Transistor Feature This device is Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and RoHS compliant. 3 - Collector 1 - Base Very low collector to emitter saturation voltage DC current gain >120 0.1A continuous collector current 2 - Emitter NPN epitaxial planar silicon transistor Mechanical Characteristics Lead finish:100% matte Sn(Tin) Mounting
Otros transistores... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , D209L , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .
History: MMBT2907R | 2SC5516
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050