PNTET50V01 Todos los transistores

 

PNTET50V01 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PNTET50V01
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.125 W
   Tensión colector-base (Vcb): 50 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Ganancia de corriente contínua (hfe): 120
   Paquete / Cubierta: SOT523
 

 Búsqueda de reemplazo de PNTET50V01

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

PNTET50V01 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:121K  prisemi
 pntet50v01.pdf pdf_icon

PNTET50V01

PNTET50V01 NPN Transistor Feature This device is Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and RoHS compliant. 3 - Collector 1 - Base Very low collector to emitter saturation voltage DC current gain >120 0.1A continuous collector current 2 - Emitter NPN epitaxial planar silicon transistor Mechanical Characteristics Lead finish:100% matte Sn(Tin) Mounting

Otros transistores... PN2222ARLRMG , PN2222ARLRPG , PN2222-H , PN2222-L , PN4209 , PNT23T503E0-2 , PNT523T503E0-2 , PNT723T503E0-2 , BD140 , PPT523T503E0-2 , PPT89T30V5AE2M , PPT8N30E2 , PQMD12 , PT236T30E2 , PT236T30E2H , PT236T30E2M , PT23T2222A .

History: S1761A | MJ11012

 

 
Back to Top

 


 
.