Справочник транзисторов. PNTET50V01

 

Биполярный транзистор PNTET50V01 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: PNTET50V01
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.125 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 120
   Корпус транзистора: SOT523
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

PNTET50V01 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:121K  prisemi
 pntet50v01.pdf pdf_icon

PNTET50V01

PNTET50V01 NPN Transistor Feature This device is Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and RoHS compliant. 3 - Collector 1 - Base Very low collector to emitter saturation voltage DC current gain >120 0.1A continuous collector current 2 - Emitter NPN epitaxial planar silicon transistor Mechanical Characteristics Lead finish:100% matte Sn(Tin) Mounting

Другие транзисторы... 2SA1771 , 2SA178 , 2SA1790 , 2SA1791 , 2SA1792 , 2SA1793 , 2SA1794 , 2SA1795 , 2SD1047 , 2SA1799 , 2SA17H , 2SA18 , 2SA180 , 2SA1800 , 2SA1800O , 2SA1800R , 2SA1800Y .

History: 2SD1032B | L2SA812SLT3G | BSYP62 | STD790A | D38L6 | BD245E | GES3250A

 

 
Back to Top

 


 
.