PNTET50V01 - аналоги и даташиты биполярного транзистора

 

PNTET50V01 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: PNTET50V01
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.125 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 120
   Корпус транзистора: SOT523
 

 Аналоги (замена) для PNTET50V01

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

PNTET50V01 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:121K  prisemi
 pntet50v01.pdf pdf_icon

PNTET50V01

PNTET50V01 NPN Transistor Feature This device is Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and RoHS compliant. 3 - Collector 1 - Base Very low collector to emitter saturation voltage DC current gain >120 0.1A continuous collector current 2 - Emitter NPN epitaxial planar silicon transistor Mechanical Characteristics Lead finish:100% matte Sn(Tin) Mounting

Другие транзисторы... PN2222ARLRMG , PN2222ARLRPG , PN2222-H , PN2222-L , PN4209 , PNT23T503E0-2 , PNT523T503E0-2 , PNT723T503E0-2 , BD140 , PPT523T503E0-2 , PPT89T30V5AE2M , PPT8N30E2 , PQMD12 , PT236T30E2 , PT236T30E2H , PT236T30E2M , PT23T2222A .

History: PPT89T30V5AE2M

 

 
Back to Top

 


 
.