PPT89T30V5AE2M Todos los transistores

 

PPT89T30V5AE2M . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PPT89T30V5AE2M
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 3 W
   Tensión colector-base (Vcb): 30 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 20 V
   Tensión emisor-base (Veb): 6 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 5 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 120 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 60 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 100
   Paquete / Cubierta: SOT89
 

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PPT89T30V5AE2M Datasheet (PDF)

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PPT89T30V5AE2M

PPT89T30V5AE2M Transistor Feature 2 - Collector 1 - Base This device is Pb-Free and RoHS compliant. PNP epitaxial planar silicon transistor 3 - Emitter Mechanical Characteristics Lead finish:100% matte Sn(Tin) Mounting position: Any Qualified max reflow temperature:260 Device meets MSL 1 requirements Pure tin plating: 7 ~ 17 um Pin flatness:3m

Otros transistores... PN2222-H , PN2222-L , PN4209 , PNT23T503E0-2 , PNT523T503E0-2 , PNT723T503E0-2 , PNTET50V01 , PPT523T503E0-2 , 2SA1943 , PPT8N30E2 , PQMD12 , PT236T30E2 , PT236T30E2H , PT236T30E2M , PT23T2222A , PT23T2907A , PT23T3904 .

History: BC856BM3 | BSR12 | CE1A3Q

 

 
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