PPT89T30V5AE2M Todos los transistores

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PPT89T30V5AE2M . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PPT89T30V5AE2M

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 3 W

Tensión colector-base (Vcb): 30 V

Tensión colector-emisor (Vce): 20 V

Tensión emisor-base (Veb): 6 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Producto de corriente -- ganancia — ancho de banda (ft): 120 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 60 pF

Ganancia de corriente contínua (hfe): 100

Empaquetado / Estuche: SOT89

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PPT89T30V5AE2M Datasheet (PDF)

1.1. ppt89t30v5ae2m.pdf Size:127K _upd

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 PPT89T30V5AE2M Transistor Feature 2 - Collector 1 - Base This device is Pb-Free and RoHS compliant. PNP epitaxial planar silicon transistor 3 - Emitter Mechanical Characteristics Lead finish:100% matte Sn(Tin) Mounting position: Any Qualified max reflow temperature:260℃ Device meets MSL 1 requirements Pure tin plating: 7 ~ 17 um Pin flatness:≤3m

Otros transistores... PN2222-H , PN2222-L , PN4209 , PNT23T503E0-2 , PNT523T503E0-2 , PNT723T503E0-2 , PNTET50V01 , PPT523T503E0-2 , 2N3906 , PPT8N30E2 , PQMD12 , PT236T30E2 , PT236T30E2H , PT236T30E2M , PT23T2222A , PT23T2907A , PT23T3904 .

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