PPT89T30V5AE2M . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PPT89T30V5AE2M
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 3 W
Tensión colector-base (Vcb): 30 V
Tensión colector-emisor (Vce): 20 V
Tensión emisor-base (Veb): 6 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 5 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Producto de corriente -- ganancia — ancho de banda (ft): 120 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 60 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 100
Empaquetado / Estuche: SOT89
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PPT89T30V5AE2M Datasheet (PDF)
1.1. ppt89t30v5ae2m.pdf 
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PPT89T30V5AE2M Transistor Feature 2 - Collector 1 - Base This device is Pb-Free and RoHS compliant. PNP epitaxial planar silicon transistor 3 - Emitter Mechanical Characteristics Lead finish:100% matte Sn(Tin) Mounting position: Any Qualified max reflow temperature:260℃ Device meets MSL 1 requirements Pure tin plating: 7 ~ 17 um Pin flatness:≤3m
Otros transistores... PN2222-H , PN2222-L , PN4209 , PNT23T503E0-2 , PNT523T503E0-2 , PNT723T503E0-2 , PNTET50V01 , PPT523T503E0-2 , 2N3906 , PPT8N30E2 , PQMD12 , PT236T30E2 , PT236T30E2H , PT236T30E2M , PT23T2222A , PT23T2907A , PT23T3904 .
