PPT89T30V5AE2M . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PPT89T30V5AE2M
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 3 W
Tensión colector-base (Vcb): 30 V
Tensión colector-emisor (Vce): 20 V
Tensión emisor-base (Veb): 6 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 5 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 120 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 60 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 100
Paquete / Cubierta: SOT89
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PPT89T30V5AE2M Datasheet (PDF)
ppt89t30v5ae2m.pdf

PPT89T30V5AE2M Transistor Feature 2 - Collector 1 - Base This device is Pb-Free and RoHS compliant. PNP epitaxial planar silicon transistor 3 - Emitter Mechanical Characteristics Lead finish:100% matte Sn(Tin) Mounting position: Any Qualified max reflow temperature:260 Device meets MSL 1 requirements Pure tin plating: 7 ~ 17 um Pin flatness:3m
Otros transistores... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , BC546 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
History: BFG67X | BFQ80 | KT8183A-2 | 40634L | 3DD4013_A1D | MP5550R | PMBT4401YS
History: BFG67X | BFQ80 | KT8183A-2 | 40634L | 3DD4013_A1D | MP5550R | PMBT4401YS



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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