PPT89T30V5AE2M - описание и поиск аналогов

 

PPT89T30V5AE2M. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PPT89T30V5AE2M

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 3 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 120 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 60 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: SOT89

 Аналоги (замена) для PPT89T30V5AE2M

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

PPT89T30V5AE2M даташит

 ..1. Size:127K  prisemi
 ppt89t30v5ae2m.pdf pdf_icon

PPT89T30V5AE2M

PPT89T30V5AE2M Transistor Feature 2 - Collector 1 - Base This device is Pb-Free and RoHS compliant. PNP epitaxial planar silicon transistor 3 - Emitter Mechanical Characteristics Lead finish 100% matte Sn(Tin) Mounting position Any Qualified max reflow temperature 260 Device meets MSL 1 requirements Pure tin plating 7 17 um Pin flatness 3m

Другие транзисторы: PN2222-H, PN2222-L, PN4209, PNT23T503E0-2, PNT523T503E0-2, PNT723T503E0-2, PNTET50V01, PPT523T503E0-2, TIP122, PPT8N30E2, PQMD12, PT236T30E2, PT236T30E2H, PT236T30E2M, PT23T2222A, PT23T2907A, PT23T3904

 

 

 

 

↑ Back to Top
.