Справочник транзисторов. PPT89T30V5AE2M

 

Биполярный транзистор PPT89T30V5AE2M Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: PPT89T30V5AE2M
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 3 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 120 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 60 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
   Корпус транзистора: SOT89
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

PPT89T30V5AE2M Datasheet (PDF)

 ..1. Size:127K  prisemi
ppt89t30v5ae2m.pdfpdf_icon

PPT89T30V5AE2M

PPT89T30V5AE2M Transistor Feature 2 - Collector 1 - Base This device is Pb-Free and RoHS compliant. PNP epitaxial planar silicon transistor 3 - Emitter Mechanical Characteristics Lead finish:100% matte Sn(Tin) Mounting position: Any Qualified max reflow temperature:260 Device meets MSL 1 requirements Pure tin plating: 7 ~ 17 um Pin flatness:3m

Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , MJE340 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .

History: CHUMB4GP | BC547BTA | HA9531 | 2SC5536A-TL-H | BFG67R | K2125B | ST8035

 

 
Back to Top

 


 
.