Справочник транзисторов. PPT89T30V5AE2M

 

Биполярный транзистор PPT89T30V5AE2M Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: PPT89T30V5AE2M
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 3 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 5 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 120 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 60 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
   Корпус транзистора: SOT89
 

 Аналог (замена) для PPT89T30V5AE2M

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

PPT89T30V5AE2M Datasheet (PDF)

 ..1. Size:127K  prisemi
 ppt89t30v5ae2m.pdf pdf_icon

PPT89T30V5AE2M

PPT89T30V5AE2M Transistor Feature 2 - Collector 1 - Base This device is Pb-Free and RoHS compliant. PNP epitaxial planar silicon transistor 3 - Emitter Mechanical Characteristics Lead finish:100% matte Sn(Tin) Mounting position: Any Qualified max reflow temperature:260 Device meets MSL 1 requirements Pure tin plating: 7 ~ 17 um Pin flatness:3m

Другие транзисторы... PN2222-H , PN2222-L , PN4209 , PNT23T503E0-2 , PNT523T503E0-2 , PNT723T503E0-2 , PNTET50V01 , PPT523T503E0-2 , 2SA1943 , PPT8N30E2 , PQMD12 , PT236T30E2 , PT236T30E2H , PT236T30E2M , PT23T2222A , PT23T2907A , PT23T3904 .

History: WTD882

 

 
Back to Top

 


 
.