PPT8N30E2 Todos los transistores

 

PPT8N30E2 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: PPT8N30E2
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 3 W
   Tensión colector-base (Vcb): 30 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 30 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Ganancia de corriente contínua (hfe): 100
   Paquete / Cubierta: DFN3X2-8L
     - Selección de transistores por parámetros

 

PPT8N30E2 Datasheet (PDF)

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PPT8N30E2

PPT8N30E2 Transistor Feature 8(C) 7(C) 6(C) 5(E) This device is Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and RoHS compliant. Very low collector to emitter saturation voltage DC current gain >100 3A continuous collector current PNP epitaxial planar silicon transistor 2(C) 3(C) 4(B) 1(C) Mechanical Characteristics Lead finish:100% matte Sn(Tin) Mounting p

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