PPT8N30E2 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PPT8N30E2
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 3 W
Tensión colector-base (Vcb): 30 V
Tensión colector-emisor (Vce): 30 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Ganancia de corriente contínua (hfe): 100
Paquete / Cubierta: DFN3X2-8L
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar PPT8N30E2
PPT8N30E2 Datasheet (PDF)
ppt8n30e2.pdf
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PPT8N30E2 Transistor Feature 8(C) 7(C) 6(C) 5(E) This device is Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and RoHS compliant. Very low collector to emitter saturation voltage DC current gain >100 3A continuous collector current PNP epitaxial planar silicon transistor 2(C) 3(C) 4(B) 1(C) Mechanical Characteristics Lead finish:100% matte Sn(Tin) Mounting p
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History: PEMB13
History: PEMB13
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Liste
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