Справочник транзисторов. PPT8N30E2

 

Биполярный транзистор PPT8N30E2 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: PPT8N30E2
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 3 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
   Корпус транзистора: DFN3X2-8L
 

 Аналог (замена) для PPT8N30E2

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

PPT8N30E2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:166K  prisemi
 ppt8n30e2.pdf pdf_icon

PPT8N30E2

PPT8N30E2 Transistor Feature 8(C) 7(C) 6(C) 5(E) This device is Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and RoHS compliant. Very low collector to emitter saturation voltage DC current gain >100 3A continuous collector current PNP epitaxial planar silicon transistor 2(C) 3(C) 4(B) 1(C) Mechanical Characteristics Lead finish:100% matte Sn(Tin) Mounting p

Другие транзисторы... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 8050 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .

History: H13003AD

 

 
Back to Top

 


 
.