PPT8N30E2 - описание и поиск аналогов

 

PPT8N30E2. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PPT8N30E2

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 3 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: DFN3X2-8L

 Аналоги (замена) для PPT8N30E2

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

PPT8N30E2 даташит

 ..1. Size:166K  prisemi
 ppt8n30e2.pdf pdf_icon

PPT8N30E2

PPT8N30E2 Transistor Feature 8(C) 7(C) 6(C) 5(E) This device is Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and RoHS compliant. Very low collector to emitter saturation voltage DC current gain >100 3A continuous collector current PNP epitaxial planar silicon transistor 2(C) 3(C) 4(B) 1(C) Mechanical Characteristics Lead finish 100% matte Sn(Tin) Mounting p

Другие транзисторы: PN2222-L, PN4209, PNT23T503E0-2, PNT523T503E0-2, PNT723T503E0-2, PNTET50V01, PPT523T503E0-2, PPT89T30V5AE2M, A1015, PQMD12, PT236T30E2, PT236T30E2H, PT236T30E2M, PT23T2222A, PT23T2907A, PT23T3904, PT23T3906

 

 

 

 

↑ Back to Top
.