PQMD12 Todos los transistores

 

PQMD12 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: PQMD12

Código: 110000

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN*PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.35 W

Tensión colector-base (Vcb): 50 V

Tensión colector-emisor (Vce): 50 V

Tensión emisor-base (Veb): 10 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 230 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 2.5 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 80

Encapsulados: SOT1216

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PQMD12 datasheet

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PQMD12

PQMD12 NPN/PNP resistor-equipped transistors; R1 = 47 k , R2 = 47 k 8 July 2015 Product data sheet 1. General description NPN/PNP double Resistor-Equipped Transistors (RET) in a leadless ultra small DFN1010B-6 (SOT1216) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. 2. Features and benefits 100 mA output current capability Built-in bias resistors Simplifies circuit desig

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