PQMD12 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: PQMD12
Código: 110000
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN*PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.35 W
Tensión colector-base (Vcb): 50 V
Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
Tensión emisor-base (Veb): 10 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.1 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 230 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 2.5 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 80
Paquete / Cubierta: SOT1216
- Selección de transistores por parámetros
PQMD12 Datasheet (PDF)
pqmd12.pdf

PQMD12NPN/PNP resistor-equipped transistors;R1 = 47 k, R2 = 47 k8 July 2015 Product data sheet1. General descriptionNPN/PNP double Resistor-Equipped Transistors (RET) in a leadless ultra smallDFN1010B-6 (SOT1216) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.2. Features and benefits 100 mA output current capability Built-in bias resistors Simplifies circuit desig
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History: 2SB1195 | D45VH4 | 2SC2973 | UN5217Q | BC817-40 | PBSS305ND | T1447
History: 2SB1195 | D45VH4 | 2SC2973 | UN5217Q | BC817-40 | PBSS305ND | T1447



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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