PQMD12 - описание и поиск аналогов

 

PQMD12. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: PQMD12

Маркировка: 110000

Тип материала: Si

Полярность: NPN*PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.35 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 50 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 230 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 2.5 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 80

Корпус транзистора: SOT1216

 Аналоги (замена) для PQMD12

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

PQMD12 даташит

 ..1. Size:195K  nxp
 pqmd12.pdf pdf_icon

PQMD12

PQMD12 NPN/PNP resistor-equipped transistors; R1 = 47 k , R2 = 47 k 8 July 2015 Product data sheet 1. General description NPN/PNP double Resistor-Equipped Transistors (RET) in a leadless ultra small DFN1010B-6 (SOT1216) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. 2. Features and benefits 100 mA output current capability Built-in bias resistors Simplifies circuit desig

Другие транзисторы: PN4209, PNT23T503E0-2, PNT523T503E0-2, PNT723T503E0-2, PNTET50V01, PPT523T503E0-2, PPT89T30V5AE2M, PPT8N30E2, 13007, PT236T30E2, PT236T30E2H, PT236T30E2M, PT23T2222A, PT23T2907A, PT23T3904, PT23T3906, PT23T5401

 

 

 

 

↑ Back to Top
.