2N5777 Todos los transistores

 

2N5777 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2N5777
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.2 W
   Tensión colector-base (Vcb): 25 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 25 V
   Tensión emisor-base (Veb): 8 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.25 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 100 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Capacitancia de salida (Cc): 7.6 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 1000
   Paquete / Cubierta: TO92
     - Selección de transistores por parámetros

 

2N5777 Datasheet (PDF)

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2N5777

2N5771 MMBT5771CEC TO-92BBSOT-23EMark: 3RPNP Switching TransistorThis device is designed for very high speed saturated switchingat collector currents to 100 mA. Sourced from Process 65. SeePN4258 for characteristics.Absolute Maximum Ratings* TA = 25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitsVCEO Collector-Emitter Voltage 15 VVCBO Collector-Base Voltage

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History: MJ4032 | ESM28 | 2SC4369 | 2SD1914 | 2SD1099 | NPS3251 | DDTA114WE

 

 
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