Справочник транзисторов. 2N5777

 

Биполярный транзистор 2N5777 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 2N5777
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.2 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 25 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 25 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 8 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.25 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 100 °C
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 7.6 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 1000
   Корпус транзистора: TO92
 

 Аналог (замена) для 2N5777

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N5777 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:57K  njs
 2n5780 2n5780 2n5777.pdf pdf_icon

2N5777

 ..2. Size:57K  njs
 2n5777.pdf pdf_icon

2N5777

 ..3. Size:64K  advanced-semi
 2n5777.pdf pdf_icon

2N5777

 9.1. Size:585K  fairchild semi
 2n5771 mmbt5771.pdf pdf_icon

2N5777

2N5771 MMBT5771CEC TO-92BBSOT-23EMark: 3RPNP Switching TransistorThis device is designed for very high speed saturated switchingat collector currents to 100 mA. Sourced from Process 65. SeePN4258 for characteristics.Absolute Maximum Ratings* TA = 25C unless otherwise notedSymbol Parameter Value UnitsVCEO Collector-Emitter Voltage 15 VVCBO Collector-Base Voltage

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы... 2N5666SMD05 , 2N5666U3 , 2N5667N1 , 2N5667S , 2N5681SMD05 , 2N5682X , 2N5684G , 2N5686G , 13005 , 2N5778 , 2N5779 , 2N5780 , 2N5781XL , 2N5782L , 2N5784SMD , 2N5784SMD05 , 2N5785N1 .

 

 
Back to Top

 


 
.