2N5796U Todos los transistores

 

2N5796U . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2N5796U
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.6 W
   Tensión colector-base (Vcb): 60 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 60 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.6 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Capacitancia de salida (Cc): 8 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 100
   Paquete / Cubierta: CHIP
 

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2N5796U Datasheet (PDF)

 ..1. Size:243K  optek
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2N5796U

Product Bulletin JANTX, JANTXV, 2N5796USeptember 1996Surface Mount Dual PNP TransistorType JANTX, JANTXV, 2N5796U.058 (1.47)Features Absolute Maximum Ratings (TA = 25o C unless otherwise noted)Collector-Emitter Voltage. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60 VCeramic surface mount packageCollector-Base Voltage . . . . . . . .

 ..2. Size:123K  microsemi
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2N5796U

TECHNICAL DATAPNP DUAL SILICON TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/496 Devices Qualified LevelJAN 2N5796 2N5795 JANTX 2N5796U JANTXV MAXIMUM RATINGS Ratings Symbol Value UnitsCollector-Emitter Voltage 60 VdcVCEO Collector-Base Voltage 60 VdcVCBO Emitter-Base Voltage 5.0 VdcVEBO TO-78* Collector Current 600 mAdcIC Both(2) One(1) Section Sections

 9.2. Size:67K  central
2n5793 2n5794.pdf pdf_icon

2N5796U

145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USATel: (631) 435-1110 Fax: (631) 435-1824

Otros transistores... 2SA1179M4 , 2SA1179M5 , 2SA1179M6 , 2SA1179M7 , 2SA118 , 2SA1180 , 2SA1180A , 2SA1182 , 2N5401 , 2SA1182Y , 2SA1183 , 2SA1184 , 2SA1185 , 2SA1186 , 2SA1186O , 2SA1186P , 2SA1186Y .

History: SUR542J | BC327-16BK | 2N4898X | BF422BPL

 

 
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