2N5796U datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 2N5796U  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.6 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 60 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.6 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 8 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: CHIP

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 2N5796U

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

2N5796U даташит

 ..1. Size:243K  optek
2n5796u.pdfpdf_icon

2N5796U

Product Bulletin JANTX, JANTXV, 2N5796U September 1996 Surface Mount Dual PNP Transistor Type JANTX, JANTXV, 2N5796U .058 (1.47) Features Absolute Maximum Ratings (TA = 25o C unless otherwise noted) Collector-Emitter Voltage. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60 V Ceramic surface mount package Collector-Base Voltage . . . . . . . .

 ..2. Size:123K  microsemi
2n5796u.pdfpdf_icon

2N5796U

TECHNICAL DATA PNP DUAL SILICON TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/496 Devices Qualified Level JAN 2N5796 2N5795 JANTX 2N5796U JANTXV MAXIMUM RATINGS Ratings Symbol Value Units Collector-Emitter Voltage 60 Vdc VCEO Collector-Base Voltage 60 Vdc VCBO Emitter-Base Voltage 5.0 Vdc VEBO TO-78* Collector Current 600 mAdc IC Both(2) One(1) Section Sections

 9.2. Size:67K  central
2n5793 2n5794.pdfpdf_icon

2N5796U

145 Adams Avenue, Hauppauge, NY 11788 USA Tel (631) 435-1110 Fax (631) 435-1824

Другие транзисторы: 2N5784SMD, 2N5784SMD05, 2N5785N1, 2N5785SMD, 2N5785SMD05, 2N5786L, 2N5794U, 2N5794UC, BC639, 2N5883G, 2N5884G, 2N5885G, 2N5886G, 2N6034G, 2N6035G, 2N6036G, 2N6038G