2PB1424 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 2PB1424
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 2 W
Tensión colector-base (Vcb): 20 V
Tensión colector-emisor (Vce): 20 V
Tensión emisor-base (Veb): 6 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 125 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 37 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 180
Paquete / Cubierta: SOT89
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar 2PB1424
2PB1424 Datasheet (PDF)
2pb1424.pdf
2PB142420 V, 3 A PNP low VCEsat (BISS) transistorRev. 02 15 January 2007 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionPNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a medium powerSOT89 (SC-62/TO-243) flat lead Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.NPN complement: 2PD2150.1.2 Features Low collector-emitter saturation voltage VCEsat H
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2PB142420 V, 3 A PNP low VCEsat (BISS) transistorRev. 02 15 January 2007 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionPNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a medium powerSOT89 (SC-62/TO-243) flat lead Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.NPN complement: 2PD2150.1.2 Features Low collector-emitter saturation voltage VCEsat H
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History: 2SA1612
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Liste
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