2PB1424 Todos los transistores

 

2PB1424 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 2PB1424
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 2 W
   Tensión colector-base (Vcb): 20 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 20 V
   Tensión emisor-base (Veb): 6 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 125 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 37 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 180
   Paquete / Cubierta: SOT89
     - Selección de transistores por parámetros

 

2PB1424 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:127K  philips
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2PB1424

2PB142420 V, 3 A PNP low VCEsat (BISS) transistorRev. 02 15 January 2007 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionPNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a medium powerSOT89 (SC-62/TO-243) flat lead Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.NPN complement: 2PD2150.1.2 Features Low collector-emitter saturation voltage VCEsat H

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2PB1424

2PB142420 V, 3 A PNP low VCEsat (BISS) transistorRev. 02 15 January 2007 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionPNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a medium powerSOT89 (SC-62/TO-243) flat lead Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.NPN complement: 2PD2150.1.2 Features Low collector-emitter saturation voltage VCEsat H

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History: KSC5025R | TI428 | 2SC482Y | DRA9114E | 3CA1480 | KT368B9 | 2SC4396

 

 
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