2PB1424 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 2PB1424  📄📄 

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 2 W

Tensión colector-base (Vcb): 20 V

Tensión colector-emisor (Vce): 20 V

Tensión emisor-base (Veb): 6 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 125 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 37 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 180

Encapsulados: SOT89

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2PB1424 datasheet

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2PB1424

2PB1424 20 V, 3 A PNP low VCEsat (BISS) transistor Rev. 02 15 January 2007 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description PNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a medium power SOT89 (SC-62/TO-243) flat lead Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. NPN complement 2PD2150. 1.2 Features Low collector-emitter saturation voltage VCEsat H

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2PB1424

2PB1424 20 V, 3 A PNP low VCEsat (BISS) transistor Rev. 02 15 January 2007 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description PNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a medium power SOT89 (SC-62/TO-243) flat lead Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. NPN complement 2PD2150. 1.2 Features Low collector-emitter saturation voltage VCEsat H

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