Биполярный транзистор 2PB1424 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2PB1424
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 2 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 125 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 37 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 180
Корпус транзистора: SOT89
2PB1424 Datasheet (PDF)
2pb1424.pdf
2PB142420 V, 3 A PNP low VCEsat (BISS) transistorRev. 02 15 January 2007 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionPNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a medium powerSOT89 (SC-62/TO-243) flat lead Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.NPN complement: 2PD2150.1.2 Features Low collector-emitter saturation voltage VCEsat H
2pb1424.pdf
2PB142420 V, 3 A PNP low VCEsat (BISS) transistorRev. 02 15 January 2007 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionPNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a medium powerSOT89 (SC-62/TO-243) flat lead Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.NPN complement: 2PD2150.1.2 Features Low collector-emitter saturation voltage VCEsat H
Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , 2SA1837 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .
