Биполярный транзистор 2PB1424 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 2PB1424
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 2 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 125 MHz
Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 37 pf
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 180
Корпус транзистора: SOT89
2PB1424 Datasheet (PDF)
2pb1424.pdf
2PB142420 V, 3 A PNP low VCEsat (BISS) transistorRev. 02 15 January 2007 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionPNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a medium powerSOT89 (SC-62/TO-243) flat lead Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.NPN complement: 2PD2150.1.2 Features Low collector-emitter saturation voltage VCEsat H
2pb1424.pdf
2PB142420 V, 3 A PNP low VCEsat (BISS) transistorRev. 02 15 January 2007 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionPNP low VCEsat Breakthrough In Small Signal (BISS) transistor in a medium powerSOT89 (SC-62/TO-243) flat lead Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.NPN complement: 2PD2150.1.2 Features Low collector-emitter saturation voltage VCEsat H
Другие транзисторы... HA9079 , HA9500 , HA9501 , HA9502 , HA9531 , HA9531A , HA9532 , HA9532A , 2222A , HCT2907A , HCT2907M , HDA412 , HDA420 , HDA496 , HEP637 , HEPG0001 , HEPG0002 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050