1DI200E-055 Todos los transistores

 

1DI200E-055 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 1DI200E-055
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 1000 W
   Tensión colector-base (Vcb): 600 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 600 V
   Tensión emisor-base (Veb): 6 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 200 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Ganancia de corriente contínua (hfe): 70
   Paquete / Cubierta: M207
     - Selección de transistores por parámetros

 

1DI200E-055 Datasheet (PDF)

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FUJI POWER TRANSISTOR MODULE1DI200A-120 (200A) :Outline Drawings : : : :[mm]POWER TRANSISTOR MODULEPOWER TRAN

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History: PBLS4003D | P609 | CSC2003 | 2SC4959 | DDTC123TUA | 16318 | 2SC486Y

 

 
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