1DI200E-055. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: 1DI200E-055
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Предельные значения
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1000 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 600 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 200 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Электрические характеристики
Статический коэффициент передачи тока (hFE): 70
Корпус транзистора: M207
Аналоги (замена) для 1DI200E-055
- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам
1DI200E-055 даташит
1di200a-120.pdf
FUJI POWER TRANSISTOR MODULE 1DI200A-120 (200A) Outline Drawings [mm] POWER TRANSISTOR MODULE POWER TRAN
1di200k-055.pdf
Fuji Semiconductor, Inc. - P.O. Box 702708 - Dallas, TX 75370 - 972-733-1700 - www.fujisemiconductor.com
Другие транзисторы: 15GN03CA, 15GN03CA-TB-E, 15GN03FA, 15GN03FA-TL-H, 15GN03MA, 15GN03MA-TL-E, 1D500A-030, 1DI200A-120, BD136, 1DI200K-055, 1DI200Z-100, 1DI300D-100, 1DI300Z-120, 1DI30MA-050, 1DI400A-120, 1DI480A-055, 1DI50F-100
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2sc984 | 2sa872 | 2sc1222 | 2sc2581 | c1061 transistor | 2sc1451 | c3199 transistor | 2n2712 datasheet