Справочник транзисторов. 1DI200E-055

 

Биполярный транзистор 1DI200E-055 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.


   Наименование производителя: 1DI200E-055
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1000 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 600 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 200 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 70
   Корпус транзистора: M207

 Аналоги (замена) для 1DI200E-055

 

 

1DI200E-055 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:183K  fuji
1di200e-055.pdf

1DI200E-055
1DI200E-055

 8.1. Size:31K  fuji
1di200a-120.pdf

1DI200E-055

FUJI POWER TRANSISTOR MODULE1DI200A-120 (200A) :Outline Drawings : : : :[mm]POWER TRANSISTOR MODULEPOWER TRAN

 8.2. Size:97K  fuji
1di200z-100.pdf

1DI200E-055

 8.3. Size:150K  fuji
1di200k-055.pdf

1DI200E-055
1DI200E-055

Fuji Semiconductor, Inc. - P.O. Box 702708 - Dallas, TX 75370 - 972-733-1700 - www.fujisemiconductor.com

Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

 

 
Back to Top