1DI200K-055 Todos los transistores

 

1DI200K-055 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 1DI200K-055

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 1000 W

Tensión colector-base (Vcb): 600 V

Tensión colector-emisor (Vce): 600 V

Tensión emisor-base (Veb): 6 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 200 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Ganancia de corriente contínua (hfe): 70

Empaquetado / Estuche: M207

Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar 1DI200K-055

 

1DI200K-055 Datasheet (PDF)

1.1. 1di200k-055.pdf Size:150K _upd

1DI200K-055
1DI200K-055

 Fuji Semiconductor, Inc. - P.O. Box 702708 - Dallas, TX 75370 - 972-733-1700 - www.fujisemiconductor.com

4.1. 1di200a-120.pdf Size:31K _upd

1DI200K-055

FUJI POWER TRANSISTOR MODULE 1DI200A-120 (200A) パワートランジスタモジュール 外形寸法:Outline Drawings パワートランジスタモジュール 外形寸法: パワートランジスタモジュール 外形寸法: パワートランジスタモジュール 外形寸法: パワートランジスタモジュール 外形寸法: [mm] POWER TRANSISTOR MODULE POWER TRAN

4.2. 1di200e-055.pdf Size:183K _upd

1DI200K-055
1DI200K-055



 4.3. 1di200z-100.pdf Size:97K _upd

1DI200K-055



Otros transistores... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , 9012 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .

 

 
Back to Top

 


1DI200K-055
  1DI200K-055
  1DI200K-055
 

social 

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:

BJT: RD9FE-V | RD9FE-T | RD9FE-R | FJP3305H2 | CHT807PTS | CHT807PTR | CHT807PTQ | 3DA4544Y | 3DA4544O | 3DA4544R | 3DD2553 | 2SD1710C | NP061A3 | KTC601UY | KSC5802D | FA1L3Z-L38 | FA1L3Z-L37 | FA1L3Z-L36 | EB102 | DC8550E |

 

 

 
Back to Top