1DI200K-055 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: 1DI200K-055  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1000 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 600 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 600 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 200 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 70

Корпус транзистора: M207

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для 1DI200K-055

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

1DI200K-055 даташит

 ..1. Size:150K  fuji
 1di200k-055.pdf pdf_icon

1DI200K-055

Fuji Semiconductor, Inc. - P.O. Box 702708 - Dallas, TX 75370 - 972-733-1700 - www.fujisemiconductor.com

 8.1. Size:31K  fuji
 1di200a-120.pdf pdf_icon

1DI200K-055

FUJI POWER TRANSISTOR MODULE 1DI200A-120 (200A) Outline Drawings [mm] POWER TRANSISTOR MODULE POWER TRAN

 8.2. Size:97K  fuji
 1di200z-100.pdf pdf_icon

1DI200K-055

 8.3. Size:183K  fuji
 1di200e-055.pdf pdf_icon

1DI200K-055

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 15GN03CA-TB-E, 15GN03FA, 15GN03FA-TL-H, 15GN03MA, 15GN03MA-TL-E, 1D500A-030, 1DI200A-120, 1DI200E-055, TIP120, 1DI200Z-100, 1DI300D-100, 1DI300Z-120, 1DI30MA-050, 1DI400A-120, 1DI480A-055, 1DI50F-100, 1DI50H-055