1DI200Z-100 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 1DI200Z-100
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 1400 W
Tensión colector-base (Vcb): 1000 V
Tensión colector-emisor (Vce): 1000 V
Tensión emisor-base (Veb): 10 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 200 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Ganancia de corriente contínua (hfe): 100
Paquete / Cubierta: M106
- Selección de transistores por parámetros
1DI200Z-100 Datasheet (PDF)
1di200a-120.pdf

FUJI POWER TRANSISTOR MODULE1DI200A-120 (200A) :Outline Drawings : : : :[mm]POWER TRANSISTOR MODULEPOWER TRAN
1di200k-055.pdf

Fuji Semiconductor, Inc. - P.O. Box 702708 - Dallas, TX 75370 - 972-733-1700 - www.fujisemiconductor.com
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History: 2SC4983 | 2SA1208R | BFX92 | 2SA1796 | KT739A | FT1724 | 2SC2480
History: 2SC4983 | 2SA1208R | BFX92 | 2SA1796 | KT739A | FT1724 | 2SC2480



Liste
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