1DI200Z-100 Todos los transistores

 

1DI200Z-100 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 1DI200Z-100

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 1400 W

Tensión colector-base (Vcb): 1000 V

Tensión colector-emisor (Vce): 1000 V

Tensión emisor-base (Veb): 10 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 200 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Ganancia de corriente contínua (hFE): 100

Encapsulados: M106

 Búsqueda de reemplazo de 1DI200Z-100

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

1DI200Z-100 datasheet

 ..1. Size:97K  fuji
1di200z-100.pdf pdf_icon

1DI200Z-100

 8.1. Size:31K  fuji
1di200a-120.pdf pdf_icon

1DI200Z-100

FUJI POWER TRANSISTOR MODULE 1DI200A-120 (200A) Outline Drawings [mm] POWER TRANSISTOR MODULE POWER TRAN

 8.2. Size:183K  fuji
1di200e-055.pdf pdf_icon

1DI200Z-100

 8.3. Size:150K  fuji
1di200k-055.pdf pdf_icon

1DI200Z-100

Fuji Semiconductor, Inc. - P.O. Box 702708 - Dallas, TX 75370 - 972-733-1700 - www.fujisemiconductor.com

Otros transistores... 15GN03FA , 15GN03FA-TL-H , 15GN03MA , 15GN03MA-TL-E , 1D500A-030 , 1DI200A-120 , 1DI200E-055 , 1DI200K-055 , B647 , 1DI300D-100 , 1DI300Z-120 , 1DI30MA-050 , 1DI400A-120 , 1DI480A-055 , 1DI50F-100 , 1DI50H-055 , 1DI50K-055 .

History: UN921BJ

 

 

 


History: UN921BJ

🌐 : EN  ES  РУ

social

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:

BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550

 

 

 

Popular searches

2sc1222 | 2sc2581 | c1061 transistor | 2sc1451 | c3199 transistor | 2n2712 datasheet | 2sc2525 | tip73

 

 

↑ Back to Top
.