Биполярный транзистор 1DI200Z-100 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: 1DI200Z-100
Тип материала: Si
Полярность: NPN
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1400 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1000 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 1000 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 200 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
Корпус транзистора: M106
Аналоги (замена) для 1DI200Z-100
1DI200Z-100 Datasheet (PDF)
8.1. Size:31K fuji
1di200a-120.pdf
1di200a-120.pdf
FUJI POWER TRANSISTOR MODULE1DI200A-120 (200A) :Outline Drawings : : : :[mm]POWER TRANSISTOR MODULEPOWER TRAN
8.3. Size:150K fuji
1di200k-055.pdf
1di200k-055.pdf
Fuji Semiconductor, Inc. - P.O. Box 702708 - Dallas, TX 75370 - 972-733-1700 - www.fujisemiconductor.com
Другие транзисторы... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050