Биполярный транзистор 1DI200Z-100 Даташит. Аналоги

   Наименование производителя: 1DI200Z-100
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1400 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 1000 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 1000 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 10 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 200 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
   Корпус транзистора: M106
     - подбор биполярного транзистора по параметрам