30A02MH-TL-H . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: 30A02MH-TL-H
   Código: AL
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.6 W
   Tensión colector-base (Vcb): 30 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 30 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.7 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Transición de frecuencia (ft): 520 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 4.7 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 200
   Paquete / Cubierta: SOT323

Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar 30A02MH-TL-H

30A02MH-TL-H Datasheet (PDF)

7.1. Size:47K sanyo
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Ordering number : ENN735930A02MHPNP Epitaxial Planar Silicon Transistor30A02MHLow-FrequencyGeneral-Purpose Amplifier ApplicationsApplicationsPackage Dimensions Low-frequency Amplifier, high-speed switching,unit : mmsmall motor drive.2194A[30A02MH]0.3Features0.15 Large current capacitance.3 Low collector-to-emitter saturation voltage (resistance).RC

7.2. Size:371K onsemi
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Ordering number : EN7359A30A02MHBipolar Transistorhttp://onsemi.com ( )30V, 0.7A, Low VCE sat PNP Single MCPH3Applications Low-frequency Amplifier, high-speed switching small motor driveFeatures Large current capacity Low collector-to-emitter saturation voltage (resistance) RCE(sat) typ=580m [IC=0.7A, IB=35mA] Small ON-resistance (Ron)Specificatio

7.3. Size:273K onsemi
30a02mh 30a02mh 30a02mh 30a02mh.pdf