Справочник транзисторов. 30A02MH-TL-H

 

Биполярный транзистор 30A02MH-TL-H Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 30A02MH-TL-H
   Маркировка: AL
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.6 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.7 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 520 MHz
   Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4.7 pf
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 200
   Корпус транзистора: SOT323
 

 Аналог (замена) для 30A02MH-TL-H

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

30A02MH-TL-H Datasheet (PDF)

 7.1. Size:47K  sanyo
30a02mh.pdfpdf_icon

30A02MH-TL-H

Ordering number : ENN735930A02MHPNP Epitaxial Planar Silicon Transistor30A02MHLow-FrequencyGeneral-Purpose Amplifier ApplicationsApplicationsPackage Dimensions Low-frequency Amplifier, high-speed switching,unit : mmsmall motor drive.2194A[30A02MH]0.3Features0.15 Large current capacitance.3 Low collector-to-emitter saturation voltage (resistance).RC

 7.2. Size:371K  onsemi
30a02mh.pdfpdf_icon

30A02MH-TL-H

Ordering number : EN7359A30A02MHBipolar Transistorhttp://onsemi.com ( )30V, 0.7A, Low VCE sat PNP Single MCPH3Applications Low-frequency Amplifier, high-speed switching small motor driveFeatures Large current capacity Low collector-to-emitter saturation voltage (resistance) RCE(sat) typ=580m [IC=0.7A, IB=35mA] Small ON-resistance (Ron)Specificatio

 7.3. Size:273K  onsemi
30a02mh 30a02mh 30a02mh 30a02mh.pdfpdf_icon

30A02MH-TL-H

Ordering number : EN7359A30A02MHBipolar Transistorhttp://onsemi.com ( )30V, 0.7A, Low VCE sat PNP Single MCPH3Applications Low-frequency Amplifier, high-speed switching small motor driveFeatures Large current capacity Low collector-to-emitter saturation voltage (resistance) RCE(sat) typ=580m [IC=0.7A, IB=35mA] Small ON-resistance (Ron)Specificatio

Другие транзисторы... 1DI50MA-050 , 1DI75E-055 , 1DI75E-100 , 1DI75F-055 , 1DI75F-100 , 1SC1383 , 30A02CH-TL-E , 30A02MH-TL-E , 2N3904 , 30C02CH-TL-E , 30C02MH-TL-E , 30C02MH-TL-H , 4N1815PGP , 4N772GP , 4SCG110 , 4SCG120K , 4SCG160 .

 

 
Back to Top

 


 
.