4N1815PGP . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: 4N1815PGP
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 1 W
Tensión colector-base (Vcb): 120 V
Tensión colector-emisor (Vce): 100 V
Tensión emisor-base (Veb): 6 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 180 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 25 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 70
Paquete / Cubierta: TO251S
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar 4N1815PGP
4N1815PGP Datasheet (PDF)
4n1815pgp.pdf
CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD4N1815PGPSMALL FLAT NPN Epitaxial Transistor VOLTAGE 100 Volts CURRENT 3 AmperesAPPLICATION* High current amplifier.FEATURE* Small flat package. ( TO-251S )TO-251S* Low Collector-to-Emitter Saturation Voltage.264(6.70).094(2.40).256(6.50).215(5.46) .023(0.58).087(2.20)CONSTRUCTION .018(0.46).201(5.10)* NPN Cilicon Transistor.244(6.
Otros transistores... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , D209L , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050