4N1815PGP Todos los transistores

 

4N1815PGP . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 4N1815PGP
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 1 W
   Tensión colector-base (Vcb): 120 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 100 V
   Tensión emisor-base (Veb): 6 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 180 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 25 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 70
   Paquete / Cubierta: TO251S
 

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4N1815PGP Datasheet (PDF)

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4N1815PGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD4N1815PGPSMALL FLAT NPN Epitaxial Transistor VOLTAGE 100 Volts CURRENT 3 AmperesAPPLICATION* High current amplifier.FEATURE* Small flat package. ( TO-251S )TO-251S* Low Collector-to-Emitter Saturation Voltage.264(6.70).094(2.40).256(6.50).215(5.46) .023(0.58).087(2.20)CONSTRUCTION .018(0.46).201(5.10)* NPN Cilicon Transistor.244(6.

Otros transistores... 1DI75F-100 , 1SC1383 , 30A02CH-TL-E , 30A02MH-TL-E , 30A02MH-TL-H , 30C02CH-TL-E , 30C02MH-TL-E , 30C02MH-TL-H , BD140 , 4N772GP , 4SCG110 , 4SCG120K , 4SCG160 , 4SCG5714 , 4SDG110 , 4SDG110K , 50A02CH-TL-E .

History: PBRN113ZS | 2SB955K | KSC1098 | 2SD2012G | NB121HY

 

 
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