4N1815PGP Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 4N1815PGP  📄📄 

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 1 W

Tensión colector-base (Vcb): 120 V

Tensión colector-emisor (Vce): 100 V

Tensión emisor-base (Veb): 6 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 180 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 25 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 70

Encapsulados: TO251S

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4N1815PGP datasheet

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4N1815PGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD 4N1815PGP SMALL FLAT NPN Epitaxial Transistor VOLTAGE 100 Volts CURRENT 3 Amperes APPLICATION * High current amplifier. FEATURE * Small flat package. ( TO-251S ) TO-251S * Low Collector-to-Emitter Saturation Voltage .264(6.70) .094(2.40) .256(6.50) .215(5.46) .023(0.58) .087(2.20) CONSTRUCTION .018(0.46) .201(5.10) * NPN Cilicon Transistor .244(6.

Otros transistores... 1DI75F-100, 1SC1383, 30A02CH-TL-E, 30A02MH-TL-E, 30A02MH-TL-H, 30C02CH-TL-E, 30C02MH-TL-E, 30C02MH-TL-H, S8050, 4N772GP, 4SCG110, 4SCG120K, 4SCG160, 4SCG5714, 4SDG110, 4SDG110K, 50A02CH-TL-E