4N1815PGP. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: 4N1815PGP

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 180 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 25 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 70

Корпус транзистора: TO251S

 Аналоги (замена) для 4N1815PGP

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

4N1815PGP даташит

 ..1. Size:358K  chenmko
 4n1815pgp.pdf pdf_icon

4N1815PGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD 4N1815PGP SMALL FLAT NPN Epitaxial Transistor VOLTAGE 100 Volts CURRENT 3 Amperes APPLICATION * High current amplifier. FEATURE * Small flat package. ( TO-251S ) TO-251S * Low Collector-to-Emitter Saturation Voltage .264(6.70) .094(2.40) .256(6.50) .215(5.46) .023(0.58) .087(2.20) CONSTRUCTION .018(0.46) .201(5.10) * NPN Cilicon Transistor .244(6.

Другие транзисторы: 1DI75F-100, 1SC1383, 30A02CH-TL-E, 30A02MH-TL-E, 30A02MH-TL-H, 30C02CH-TL-E, 30C02MH-TL-E, 30C02MH-TL-H, S8050, 4N772GP, 4SCG110, 4SCG120K, 4SCG160, 4SCG5714, 4SDG110, 4SDG110K, 50A02CH-TL-E