4SCG160 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: 4SCG160

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.3 W

Tensión colector-base (Vcb): 120 V

Tensión colector-emisor (Vce): 100 V

Tensión emisor-base (Veb): 6 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.05 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 80 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 25

Encapsulados: DIP14A

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4SCG160 datasheet

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4SCG160

4SCG160 PNP A B C PCM Ta=25 300 4 mW ICM 50 mA Tjm 175 Tstg -55 150 V(BR)CBO ICB=0.1mA 120 160 200 V V(BR)CEO ICE=0.1mA 100 140 180 V V(BR) EBO IEB=0.1mA 6.0 V ICBO VCB=50V 0.1 A ICEO VCE=50V 1.0 A IEBO VEB=2V 1.

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4SCG160

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4SCG160

4SCG120K PNP A B C PCM Ta=25 500 4 mW ICM 200 mA Tjm 175 Tstg -55 150 V(BR)CBO ICB=0.1mA 25 35 50 V V(BR)CEO ICE=0.1mA 20 30 45 V V(BR) EBO IEB=0.1mA 4.0 V ICBO VCB=10V 0.5 A ICEO VCE=10V 0.5 A IEBO VEB=2V 0.5

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