4SCG160 Todos los transistores

 

4SCG160 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: 4SCG160
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.3 W
   Tensión colector-base (Vcb): 120 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 100 V
   Tensión emisor-base (Veb): 6 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.05 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 80 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 25
   Paquete / Cubierta: DIP14A
 

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4SCG160 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:241K  china
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4SCG160

4SCG160 PNP A B C PCM Ta=25 3004 mW ICM 50 mA Tjm 175 Tstg -55~150 V(BR)CBO ICB=0.1mA 120 160 200 V V(BR)CEO ICE=0.1mA 100 140 180 V V(BR) EBO IEB=0.1mA 6.0 V ICBO VCB=50V 0.1 A ICEO VCE=50V 1.0 A IEBO VEB=2V 1.

 9.1. Size:240K  china
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4SCG160

4SCG110 PNP A B C PCM Ta=25 3004 mW ICM 50 mA Tjm 175 Tstg -55~150 V(BR)CBO ICB=0.1mA 25 35 50 V V(BR)CEO ICE=0.1mA 20 30 45 V V(BR) EBO IEB=0.1mA 5.0 V ICBO VCB=10V 0.01 A ICEO VCE=10V 0.1 A IEBO VEB=2V 0.1 A

 9.2. Size:243K  china
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4SCG160

4SCG120K PNP A B C PCM Ta=25 5004 mW ICM 200 mA Tjm 175 Tstg -55~150 V(BR)CBO ICB=0.1mA 25 35 50 V V(BR)CEO ICE=0.1mA 20 30 45 V V(BR) EBO IEB=0.1mA 4.0 V ICBO VCB=10V 0.5 A ICEO VCE=10V 0.5 A IEBO VEB=2V 0.5

Otros transistores... 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SA1804R , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 8050 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C , 2SA1811 , 2SA1815 , 2SA1815-3 , 2SA1815-4 .

History: PUMD15 | PZT651T1G | ST1803DFH | S2401B | 413 | KT895A-9 | RCP703A

 

 
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