Справочник транзисторов. 4SCG160

 

Биполярный транзистор 4SCG160 Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: 4SCG160
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 100 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.05 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 80 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 25
   Корпус транзистора: DIP14A
     - подбор биполярного транзистора по параметрам

 

4SCG160 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:241K  china
 4scg160.pdf pdf_icon

4SCG160

4SCG160 PNP A B C PCM Ta=25 3004 mW ICM 50 mA Tjm 175 Tstg -55~150 V(BR)CBO ICB=0.1mA 120 160 200 V V(BR)CEO ICE=0.1mA 100 140 180 V V(BR) EBO IEB=0.1mA 6.0 V ICBO VCB=50V 0.1 A ICEO VCE=50V 1.0 A IEBO VEB=2V 1.

 9.1. Size:240K  china
 4scg110.pdf pdf_icon

4SCG160

4SCG110 PNP A B C PCM Ta=25 3004 mW ICM 50 mA Tjm 175 Tstg -55~150 V(BR)CBO ICB=0.1mA 25 35 50 V V(BR)CEO ICE=0.1mA 20 30 45 V V(BR) EBO IEB=0.1mA 5.0 V ICBO VCB=10V 0.01 A ICEO VCE=10V 0.1 A IEBO VEB=2V 0.1 A

 9.2. Size:243K  china
 4scg120k.pdf pdf_icon

4SCG160

4SCG120K PNP A B C PCM Ta=25 5004 mW ICM 200 mA Tjm 175 Tstg -55~150 V(BR)CBO ICB=0.1mA 25 35 50 V V(BR)CEO ICE=0.1mA 20 30 45 V V(BR) EBO IEB=0.1mA 4.0 V ICBO VCB=10V 0.5 A ICEO VCE=10V 0.5 A IEBO VEB=2V 0.5

Другие транзисторы... 2SA1801 , 2SA1802 , 2SA1802A , 2SA1803 , 2SA1803O , 2SA1803R , 2SA1804 , 2SA1804O , 2SD2499 , 2SA1805 , 2SA1805O , 2SA1805R , 2SA1806 , 2SA181 , 2SA1810 , 2SA1810B , 2SA1810C .

History: SBC328 | 2SC1757E | MP4051 | D43C8 | 2SC1727 | CPH5520 | ZTX503M

 

 
Back to Top

 


 
.