B631K Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: B631K
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 8 W
Tensión colector-base (Vcb): 120 V
Tensión colector-emisor (Vce): 120 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 50 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 30 pF
Ganancia de corriente contínua (hFE): 60
Encapsulados: TO126
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B631K datasheet
b631k.pdf
B631K PNP silicon APPLICATION Low Frequency Power Amplifier Applications. MAXIMUM RATINGS Ta 25 PARAMETER SYMBOL RATING UNIT Collector-base voltage VCBO -120 V Collector-emitter voltage VCEO -120 V TO-126 1 Emitter-base voltage VEBO -5 V 1. Emitter 2.Collector 3.Base Collector current IC -1 A Power Dissipation(Ta=25 ) P
2sb631 2sb631k.pdf
JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SB631 2SB631K DESCRIPTION With TO-126 package Complement to type 2SD600/K High breakdown voltage VCEO -100/-120V High current -1A Low saturation voltage,excellent hFE linearity APPLICATIONS For low-frequency power amplifier applications PINNING PIN DESCRIPTION 1 Emitter Collector;connected to
ktb631k.pdf
SEMICONDUCTOR KTB631K TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR LOW FREQUENCY POWER AMP, A B MEDIUM SPEED SWITCHING APPLICATIONS D C E FEATURES F High breakdown voltage VCEO 120V, high current 1A. Low saturation voltage and good linearity of hFE. G H DIM MILLIMETERS J A 8.3 MAX K B 5.8 L MAXIMUM RATING (Ta=25 ) C 0.7 _ + D 3.2 0.1 CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UN
2sb631k 3ca631k.pdf
2SB631K(3CA631K) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR Purpose Low frequency power amplifier,medium speed switching applications . , 2SD600K(3DA600K) Features High V ,high current,low saturation voltage and good linearity of h compleme
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Liste
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