B631K datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: B631K  📄📄 

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 8 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 120 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 120 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 50 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 30 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 60

Корпус транзистора: TO126

  📄📄 Копировать 

 Аналоги (замена) для B631K

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

B631K даташит

 ..1. Size:391K  china
 b631k.pdf pdf_icon

B631K

B631K PNP silicon APPLICATION Low Frequency Power Amplifier Applications. MAXIMUM RATINGS Ta 25 PARAMETER SYMBOL RATING UNIT Collector-base voltage VCBO -120 V Collector-emitter voltage VCEO -120 V TO-126 1 Emitter-base voltage VEBO -5 V 1. Emitter 2.Collector 3.Base Collector current IC -1 A Power Dissipation(Ta=25 ) P

 0.1. Size:220K  jmnic
 2sb631 2sb631k.pdf pdf_icon

B631K

JMnic Product Specification Silicon PNP Power Transistors 2SB631 2SB631K DESCRIPTION With TO-126 package Complement to type 2SD600/K High breakdown voltage VCEO -100/-120V High current -1A Low saturation voltage,excellent hFE linearity APPLICATIONS For low-frequency power amplifier applications PINNING PIN DESCRIPTION 1 Emitter Collector;connected to

 0.2. Size:393K  kec
 ktb631k.pdf pdf_icon

B631K

SEMICONDUCTOR KTB631K TECHNICAL DATA EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR LOW FREQUENCY POWER AMP, A B MEDIUM SPEED SWITCHING APPLICATIONS D C E FEATURES F High breakdown voltage VCEO 120V, high current 1A. Low saturation voltage and good linearity of hFE. G H DIM MILLIMETERS J A 8.3 MAX K B 5.8 L MAXIMUM RATING (Ta=25 ) C 0.7 _ + D 3.2 0.1 CHARACTERISTIC SYMBOL RATING UN

 0.3. Size:358K  lzg
 2sb631k 3ca631k.pdf pdf_icon

B631K

2SB631K(3CA631K) PNP /SILICON PNP TRANSISTOR Purpose Low frequency power amplifier,medium speed switching applications . , 2SD600K(3DA600K) Features High V ,high current,low saturation voltage and good linearity of h compleme

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие транзисторы: 8550SS-C, 8550SS-D, 9012S, 9013S, B511, B562, B564A, B624, SS8050, B709AR, B722, B764, B772-GR, B772M, B772-O, B772-R, B772-Y