B722 Todos los transistores

 

B722 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: B722
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 1.25 W
   Tensión colector-base (Vcb): 40 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 30 V
   Tensión emisor-base (Veb): 6 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 80 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 60
   Paquete / Cubierta: TO126
 

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B722 Datasheet (PDF)

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B722

B772(PNP) TO-126 TransistorTO-1261. EMITTER 2.COLLECTOR 3.BASE 3 21 Features Low speed switching 2.5007.4002.9001.1007.800 Dimensions in inches and (millimeters)1.500MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) 3.9003.0004.100Symbol Parameter Value Units3.20010.6000.000VCBO Collector-Base Voltage -40 V 11.0000.300VCEO Collector-E

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B722

B772(PNP) TO-126 TransistorTO-1261. EMITTER 2.COLLECTOR 3.BASE 3 21 Features Low speed switching 2.5007.4002.9001.1007.800 Dimensions in inches and (millimeters)1.500MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) 3.9003.0004.100Symbol Parameter Value Units3.20010.6000.000VCBO Collector-Base Voltage -40 V 11.0000.300VCEO Collector-E

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B722

PNP Transistor KSB772 datasheetwww.semicon-data.dePNP Transistor KSB772 datasheetwww.semicon-data.dePNP Transistor KSB772 datasheetwww.semicon-data.de

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B722

B722SPNP SILICON EPITAXIAL POWER TRANSISTOR These devices are intended for use in audiofrequency power amplifier and low speed switchingSOT-23 applications1BASE 2EMITTER 3COLLECTOR OAbsolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Parameter Symbol Value UnitCollector Base Voltage -VCBO 40 VCollector Emitter Voltage -VCEO 30 VEmitter Base Voltage -VEBO 5 V -IC Colle

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History: 2SA1400 | BUW13W | 2N404 | 2N2494 | HEPS9100 | D32W14

 

 
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