B722 Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: B722

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 1.25 W

Tensión colector-base (Vcb): 40 V

Tensión colector-emisor (Vce): 30 V

Tensión emisor-base (Veb): 6 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 80 MHz

Ganancia de corriente contínua (hFE): 60

Encapsulados: TO126

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B722 datasheet

 ..1. Size:206K  lge
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B722

B772(PNP) TO-126 Transistor TO-126 1. EMITTER 2.COLLECTOR 3.BASE 3 2 1 Features Low speed switching 2.500 7.400 2.900 1.100 7.800 Dimensions in inches and (millimeters) 1.500 MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) 3.900 3.000 4.100 Symbol Parameter Value Units 3.200 10.600 0.000 VCBO Collector-Base Voltage -40 V 11.000 0.300 VCEO Collector-E

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B722

B772(PNP) TO-126 Transistor TO-126 1. EMITTER 2.COLLECTOR 3.BASE 3 2 1 Features Low speed switching 2.500 7.400 2.900 1.100 7.800 Dimensions in inches and (millimeters) 1.500 MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) 3.900 3.000 4.100 Symbol Parameter Value Units 3.200 10.600 0.000 VCBO Collector-Base Voltage -40 V 11.000 0.300 VCEO Collector-E

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B722

PNP Transistor KSB772 datasheet www.semicon-data.de PNP Transistor KSB772 datasheet www.semicon-data.de PNP Transistor KSB772 datasheet www.semicon-data.de

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B722

B722S PNP SILICON EPITAXIAL POWER TRANSISTOR These devices are intended for use in audio frequency power amplifier and low speed switching SOT-23 applications 1 BASE 2 EMITTER 3 COLLECTOR O Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Parameter Symbol Value Unit Collector Base Voltage -VCBO 40 V Collector Emitter Voltage -VCEO 30 V Emitter Base Voltage -VEBO 5 V -IC Colle

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