Биполярный транзистор B722 - описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: B722
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.25 W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 80 MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60
Корпус транзистора: TO126
B722 Datasheet (PDF)
b722 to-126.pdf
B772(PNP) TO-126 TransistorTO-1261. EMITTER 2.COLLECTOR 3.BASE 3 21 Features Low speed switching 2.5007.4002.9001.1007.800 Dimensions in inches and (millimeters)1.500MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) 3.9003.0004.100Symbol Parameter Value Units3.20010.6000.000VCBO Collector-Base Voltage -40 V 11.0000.300VCEO Collector-E
b722.pdf
B772(PNP) TO-126 TransistorTO-1261. EMITTER 2.COLLECTOR 3.BASE 3 21 Features Low speed switching 2.5007.4002.9001.1007.800 Dimensions in inches and (millimeters)1.500MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) 3.9003.0004.100Symbol Parameter Value Units3.20010.6000.000VCBO Collector-Base Voltage -40 V 11.0000.300VCEO Collector-E
ksb722.pdf
PNP Transistor KSB772 datasheetwww.semicon-data.dePNP Transistor KSB772 datasheetwww.semicon-data.dePNP Transistor KSB772 datasheetwww.semicon-data.de
b722s-r b722s-q b722s-p b722s-e.pdf
B722SPNP SILICON EPITAXIAL POWER TRANSISTOR These devices are intended for use in audiofrequency power amplifier and low speed switchingSOT-23 applications1BASE 2EMITTER 3COLLECTOR OAbsolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Parameter Symbol Value UnitCollector Base Voltage -VCBO 40 VCollector Emitter Voltage -VCEO 30 VEmitter Base Voltage -VEBO 5 V -IC Colle
2sb722.pdf
isc Silicon PNP Power Transistors 2SB722DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = -160V(Min)(BR)CEOHigh Power Dissipation-: P = 150W(Max)@T =25C CHigh Current CapabilityMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for power amplifier applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMB
Другие транзисторы... 2N3192 , 2N3193 , 2N3194 , 2N3195 , 2N3196 , 2N3197 , 2N3198 , 2N3199 , 2SA1837 , 2N320 , 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 .
Список транзисторов
Обновления
BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050