B722 - описание и поиск аналогов

 

B722 - Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: B722
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.25 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 80 MHz
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60
   Корпус транзистора: TO126

 Аналоги (замена) для B722

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

B722 - технические параметры

 ..1. Size:206K  lge
b722 to-126.pdfpdf_icon

B722

B772(PNP) TO-126 Transistor TO-126 1. EMITTER 2.COLLECTOR 3.BASE 3 2 1 Features Low speed switching 2.500 7.400 2.900 1.100 7.800 Dimensions in inches and (millimeters) 1.500 MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) 3.900 3.000 4.100 Symbol Parameter Value Units 3.200 10.600 0.000 VCBO Collector-Base Voltage -40 V 11.000 0.300 VCEO Collector-E

 ..2. Size:207K  lge
b722.pdfpdf_icon

B722

B772(PNP) TO-126 Transistor TO-126 1. EMITTER 2.COLLECTOR 3.BASE 3 2 1 Features Low speed switching 2.500 7.400 2.900 1.100 7.800 Dimensions in inches and (millimeters) 1.500 MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) 3.900 3.000 4.100 Symbol Parameter Value Units 3.200 10.600 0.000 VCBO Collector-Base Voltage -40 V 11.000 0.300 VCEO Collector-E

 0.1. Size:93K  no
ksb722.pdfpdf_icon

B722

PNP Transistor KSB772 datasheet www.semicon-data.de PNP Transistor KSB772 datasheet www.semicon-data.de PNP Transistor KSB772 datasheet www.semicon-data.de

 0.2. Size:451K  cn shikues
b722s-r b722s-q b722s-p b722s-e.pdfpdf_icon

B722

B722S PNP SILICON EPITAXIAL POWER TRANSISTOR These devices are intended for use in audio frequency power amplifier and low speed switching SOT-23 applications 1 BASE 2 EMITTER 3 COLLECTOR O Absolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Parameter Symbol Value Unit Collector Base Voltage -VCBO 40 V Collector Emitter Voltage -VCEO 30 V Emitter Base Voltage -VEBO 5 V -IC Colle

Другие транзисторы... 9012S , 9013S , B511 , B562 , B564A , B624 , B631K , B709AR , 9014 , B764 , B772-GR , B772M , B772-O , B772-R , B772-Y , BC637G , BC63916 .

History: BSX53B

 

 
Back to Top

 


 
.