Биполярный транзистор B722
- описание производителя. Основные параметры. Даташиты.
Наименование производителя: B722
Тип материала: Si
Полярность: PNP
Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1.25
W
Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 40
V
Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30
V
Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6
V
Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3
A
Предельная температура PN-перехода (Tj): 150
°C
Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 80
MHz
Статический коэффициент передачи тока (hfe): 60
Корпус транзистора:
TO126
B722
Datasheet (PDF)
..1. Size:206K lge
b722 to-126.pdf 
B772(PNP) TO-126 TransistorTO-1261. EMITTER 2.COLLECTOR 3.BASE 3 21 Features Low speed switching 2.5007.4002.9001.1007.800 Dimensions in inches and (millimeters)1.500MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) 3.9003.0004.100Symbol Parameter Value Units3.20010.6000.000VCBO Collector-Base Voltage -40 V 11.0000.300VCEO Collector-E
..2. Size:207K lge
b722.pdf 
B772(PNP) TO-126 TransistorTO-1261. EMITTER 2.COLLECTOR 3.BASE 3 21 Features Low speed switching 2.5007.4002.9001.1007.800 Dimensions in inches and (millimeters)1.500MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) 3.9003.0004.100Symbol Parameter Value Units3.20010.6000.000VCBO Collector-Base Voltage -40 V 11.0000.300VCEO Collector-E
0.1. Size:93K no
ksb722.pdf 
PNP Transistor KSB772 datasheetwww.semicon-data.dePNP Transistor KSB772 datasheetwww.semicon-data.dePNP Transistor KSB772 datasheetwww.semicon-data.de
0.2. Size:451K cn shikues
b722s-r b722s-q b722s-p b722s-e.pdf 
B722SPNP SILICON EPITAXIAL POWER TRANSISTOR These devices are intended for use in audiofrequency power amplifier and low speed switchingSOT-23 applications1BASE 2EMITTER 3COLLECTOR OAbsolute Maximum Ratings (Ta = 25 C) Parameter Symbol Value UnitCollector Base Voltage -VCBO 40 VCollector Emitter Voltage -VCEO 30 VEmitter Base Voltage -VEBO 5 V -IC Colle
0.3. Size:206K inchange semiconductor
2sb722.pdf 
isc Silicon PNP Power Transistors 2SB722DESCRIPTIONCollector-Emitter Breakdown Voltage-: V = -160V(Min)(BR)CEOHigh Power Dissipation-: P = 150W(Max)@T =25C CHigh Current CapabilityMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for power amplifier applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMB
Другие транзисторы... 2SA1803O
, 2SA1803R
, 2SA1804
, 2SA1804O
, 2SA1804R
, 2SA1805
, 2SA1805O
, 2SA1805R
, TIP42
, 2SA181
, 2SA1810
, 2SA1810B
, 2SA1810C
, 2SA1811
, 2SA1815
, 2SA1815-3
, 2SA1815-4
.
