CHUMT1GP Todos los transistores

 

CHUMT1GP . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CHUMT1GP
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W
   Tensión colector-base (Vcb): 60 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 50 V
   Tensión emisor-base (Veb): 6 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.15 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 140 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 4 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 120
   Paquete / Cubierta: SOT-363
 

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CHUMT1GP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:174K  chenmko
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CHUMT1GP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHUMT1GPSURFACE MOUNTDual Silicon TransistorVOLTAGE 50 Volts CURRENT 150 mAmpereAPPLICATION* Small Signal Amplifier .FEATURE* Surface mount package. (SC-88/SOT-363)SC-88/SOT-363* Low saturation voltage VCE(sat)=-0.5V(max.)(IC=50mA) * Low cob. Cob=4.0pF(Typ.)* PC= 150mW (Total),120mW per element must not be exceeded.* High saturation current ca

Otros transistores... CH847UPNGP , CH848BGP , CH857SGP , CH858BGP , CH867UNPGP , CH867UPNGP , CH882GP , CHBTA13GP , 13007 , CHUMX1GP , CHUMY1GP , CHUMZ1GP , CJ10P20DE6 , CJ201NL , CJ303NL , CJ303PL , CJ818B .

History: KT215V9 | U2TA508 | TI423

 

 
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