CHUMT1GP Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CHUMT1GP

Material: Si

Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.15 W

Tensión colector-base (Vcb): 60 V

Tensión colector-emisor (Vce): 50 V

Tensión emisor-base (Veb): 6 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.15 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 140 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 4 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 120

Encapsulados: SOT-363

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CHUMT1GP datasheet

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CHUMT1GP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD CHUMT1GP SURFACE MOUNT Dual Silicon Transistor VOLTAGE 50 Volts CURRENT 150 mAmpere APPLICATION * Small Signal Amplifier . FEATURE * Surface mount package. (SC-88/SOT-363) SC-88/SOT-363 * Low saturation voltage VCE(sat)=-0.5V(max.)(IC=50mA) * Low cob. Cob=4.0pF(Typ.) * PC= 150mW (Total),120mW per element must not be exceeded. * High saturation current ca

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