CHUMT1GP. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CHUMT1GP

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.15 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 50 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.15 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 140 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 4 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 120

Корпус транзистора: SOT-363

 Аналоги (замена) для CHUMT1GP

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

CHUMT1GP даташит

 ..1. Size:174K  chenmko
 chumt1gp.pdf pdf_icon

CHUMT1GP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD CHUMT1GP SURFACE MOUNT Dual Silicon Transistor VOLTAGE 50 Volts CURRENT 150 mAmpere APPLICATION * Small Signal Amplifier . FEATURE * Surface mount package. (SC-88/SOT-363) SC-88/SOT-363 * Low saturation voltage VCE(sat)=-0.5V(max.)(IC=50mA) * Low cob. Cob=4.0pF(Typ.) * PC= 150mW (Total),120mW per element must not be exceeded. * High saturation current ca

Другие транзисторы: CH847UPNGP, CH848BGP, CH857SGP, CH858BGP, CH867UNPGP, CH867UPNGP, CH882GP, CHBTA13GP, C5198, CHUMX1GP, CHUMY1GP, CHUMZ1GP, CJ10P20DE6, CJ201NL, CJ303NL, CJ303PL, CJ818B