CJ818B . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CJ818B
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.35 W
Tensión colector-base (Vcb): 30 V
Tensión colector-emisor (Vce): 30 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Ganancia de corriente contínua (hfe): 100
Paquete / Cubierta: SOT-23-6L
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar CJ818B
CJ818B Datasheet (PDF)
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JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO.,LTD SOT-23-6L Plastic-Encapsulate Transistors CJ818B TRANSISTOR (PNP) DESCRIPTIONS The device is manfactured in low voltage PNP Planar T echnology with SOT-23-6L Base Island layout. The resulting Transistor shows exceptional high gain performance coupled with very low saturation voltage. FEATURE Very low collector to emit
Otros transistores... 2N3200 , 2N3201 , 2N3202 , 2N3203 , 2N3204 , 2N3205 , 2N3206 , 2N3207 , B772 , 2N3209 , 2N3209AQF , 2N3209CSM , 2N3209DCSM , 2N3209L , 2N321 , 2N3210 , 2N3211 .
Liste
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BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050