CJ818B . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CJ818B
Material: Si
Polaridad de transistor: PNP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.35 W
Tensión colector-base (Vcb): 30 V
Tensión colector-emisor (Vce): 30 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Ganancia de corriente contínua (hfe): 100
Paquete / Cubierta: SOT-23-6L
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CJ818B Datasheet (PDF)
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JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO.,LTD SOT-23-6L Plastic-Encapsulate Transistors CJ818B TRANSISTOR (PNP) DESCRIPTIONS The device is manfactured in low voltage PNP Planar T echnology with SOT-23-6L Base Island layout. The resulting Transistor shows exceptional high gain performance coupled with very low saturation voltage. FEATURE Very low collector to emit
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