CJ818B Todos los transistores

 

CJ818B . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CJ818B
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.35 W
   Tensión colector-base (Vcb): 30 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 30 V
   Tensión emisor-base (Veb): 5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Ganancia de corriente contínua (hfe): 100
   Paquete / Cubierta: SOT-23-6L
 

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CJ818B Datasheet (PDF)

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CJ818B

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO.,LTD SOT-23-6L Plastic-Encapsulate Transistors CJ818B TRANSISTOR (PNP) DESCRIPTIONS The device is manfactured in low voltage PNP Planar T echnology with SOT-23-6L Base Island layout. The resulting Transistor shows exceptional high gain performance coupled with very low saturation voltage. FEATURE Very low collector to emit

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