Справочник транзисторов. CJ818B

 

Биполярный транзистор CJ818B Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: CJ818B
   Тип материала: Si
   Полярность: PNP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.35 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 30 V
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 30 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 3 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 100
   Корпус транзистора: SOT-23-6L
 
   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

CJ818B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:468K  jiangsu
 cj818b.pdf pdf_icon

CJ818B

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO.,LTD SOT-23-6L Plastic-Encapsulate Transistors CJ818B TRANSISTOR (PNP) DESCRIPTIONS The device is manfactured in low voltage PNP Planar T echnology with SOT-23-6L Base Island layout. The resulting Transistor shows exceptional high gain performance coupled with very low saturation voltage. FEATURE Very low collector to emit

Другие транзисторы... CHUMT1GP , CHUMX1GP , CHUMY1GP , CHUMZ1GP , CJ10P20DE6 , CJ201NL , CJ303NL , CJ303PL , 13009 , CJL818C , CJP718 , CM4209 , CM45-12A , CM4957 , CM5160 , CM5583 , CM5943 .

History: 2SC1463 | BCW30L

 

 
Back to Top

 


 
.