CJP718 Todos los transistores

 

CJP718 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CJP718
   Código: 718
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 1 W
   Tensión colector-base (Vcb): 25 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 20 V
   Tensión emisor-base (Veb): 7.5 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 6 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 150 MHz
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 15
   Paquete / Cubierta: DFNWB2*2-3L
 

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CJP718 Datasheet (PDF)

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CJP718

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD DFNWB2*2-3L Plastic-Encapsulate TransistorsCJP718 TRANSISTOR (PNP) DFNWB2*2-3LFEATURE Low Equivalent On Resistance 2 Low Staturation Voltage 3 1 APPLICATIONS DC-DC Converters (FET Driving) Charging Circuits Power Switches Motor Control MARKING: COLLECTOR31BASEfront back 2EMITTERTape Drawin

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CJP718

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD T0-220-3L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJP71N90 N-Channel MOSFET TO-220-3L DESCRIPTION The CJP71N90 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge .This device is suitable for use in a wide variety of applications. 1. GATE FEATURES 2. DRAIN 3. SOURCE Lead free product is

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