CJP718. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CJP718

Маркировка: 718

Тип материала: Si

Полярность: PNP

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 1 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 25 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 20 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 7.5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 6 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 15

Корпус транзистора: DFNWB2*2-3L

 Аналоги (замена) для CJP718

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

CJP718 даташит

 ..1. Size:526K  jiangsu
 cjp718.pdf pdf_icon

CJP718

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD DFNWB2*2-3L Plastic-Encapsulate Transistors CJP718 TRANSISTOR (PNP) DFNWB2*2-3L FEATURE Low Equivalent On Resistance 2 Low Staturation Voltage 3 1 APPLICATIONS DC-DC Converters (FET Driving) Charging Circuits Power Switches Motor Control MARKING COLLECTOR 3 1 BASE front back 2 EMITTER Tape Drawin

 9.1. Size:132K  jiangsu
 cjp71n90.pdf pdf_icon

CJP718

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD T0-220-3L Plastic-Encapsulate MOSFETS CJP71N90 N-Channel MOSFET TO-220-3L DESCRIPTION The CJP71N90 uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge .This device is suitable for use in a wide variety of applications. 1. GATE FEATURES 2. DRAIN 3. SOURCE Lead free product is

Другие транзисторы: CHUMY1GP, CHUMZ1GP, CJ10P20DE6, CJ201NL, CJ303NL, CJ303PL, CJ818B, CJL818C, BC557, CM4209, CM45-12A, CM4957, CM5160, CM5583, CM5943, CMBT3904E, CMBT3906E