CMLT6427E Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CMLT6427E

Código: C64

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 0.35 W

Tensión colector-base (Vcb): 60 V

Tensión colector-emisor (Vce): 40 V

Tensión emisor-base (Veb): 12 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Transición de frecuencia (fT): 200 MHz

Capacitancia de salida (Cc): 7 pF

Ganancia de corriente contínua (hFE): 15000

Encapsulados: SOT-563

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CMLT6427E datasheet

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CMLT6427E

CMLT6427E www.centralsemi.com ENHANCED SPECIFICATION SURFACE MOUNT SILICON DESCRIPTION NPN DARLINGTON TRANSISTOR The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMLT6427E is an Enhanced Specification silicon NPN Darlington transistor. High DC current gains, coupled with a low saturation voltage, make this an excellent choice for industrial/consumer applications where operational efficiency and small

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