CMLT6427E . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CMLT6427E
Código: C64
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.35 W
Tensión colector-base (Vcb): 60 V
Tensión colector-emisor (Vce): 40 V
Tensión emisor-base (Veb): 12 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 200 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 7 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 15000
Paquete / Cubierta: SOT-563
Búsqueda de reemplazo de CMLT6427E
CMLT6427E Datasheet (PDF)
cmlt6427e.pdf

CMLT6427Ewww.centralsemi.comENHANCED SPECIFICATIONSURFACE MOUNT SILICONDESCRIPTION:NPN DARLINGTON TRANSISTORThe CENTRAL SEMICONDUCTOR CMLT6427E is an Enhanced Specification silicon NPN Darlington transistor. High DC current gains, coupled with a low saturation voltage, make this an excellent choice for industrial/consumer applications where operational efficiency and small
Otros transistores... CMLT5087E , CMLT5087EM , CMLT5087EM , CMLT5088EM , CMLT5551 , CMLT5551HC , CMLT5554 , CMLT591E , 2SB817 , CMLT7410 , CMLT7820 , CMLT8099 , CMLT8099M , CMLTA44 , CMLTA94 , CMNT3904E , CMNT3906E .
History: 423 | MP8123 | NST848BF3T5G
History: 423 | MP8123 | NST848BF3T5G



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
Popular searches
2n5210 transistor | toshiba 2sc2290 | pk6d0ba mosfet | 2sd726 | c536 transistor equivalent | 2sa1294 datasheet | mp10b transistor | bc182b