CMLT6427E. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CMLT6427E

Маркировка: C64

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.35 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 60 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 40 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 12 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 200 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 7 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 15000

Корпус транзистора: SOT-563

 Аналоги (замена) для CMLT6427E

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

CMLT6427E даташит

 ..1. Size:461K  central
 cmlt6427e.pdf pdf_icon

CMLT6427E

CMLT6427E www.centralsemi.com ENHANCED SPECIFICATION SURFACE MOUNT SILICON DESCRIPTION NPN DARLINGTON TRANSISTOR The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMLT6427E is an Enhanced Specification silicon NPN Darlington transistor. High DC current gains, coupled with a low saturation voltage, make this an excellent choice for industrial/consumer applications where operational efficiency and small

Другие транзисторы: CMLT5087E, CMLT5087EM, CMLT5087EM, CMLT5088EM, CMLT5551, CMLT5551HC, CMLT5554, CMLT591E, S9013, CMLT7410, CMLT7820, CMLT8099, CMLT8099M, CMLTA44, CMLTA94, CMNT3904E, CMNT3906E