CMLT8099M . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CMLT8099M
Código: 8CM
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 0.35 W
Tensión colector-base (Vcb): 80 V
Tensión colector-emisor (Vce): 80 V
Tensión emisor-base (Veb): 6 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.5 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (ft): 150 MHz
Capacitancia de salida (Cc): 6 pF
Ganancia de corriente contínua (hfe): 100
Paquete / Cubierta: SOT-563
Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar CMLT8099M
CMLT8099M Datasheet (PDF)
cmlt8099m.pdf
CMLT8099Mwww.centralsemi.comSURFACE MOUNT SILICONDUAL, MATCHEDDESCRIPTION:NPN TRANSISTORThe CENTRAL SEMICONDUCTOR CMLT8099M consists of two individual, isolated 8099 NPN silicon transistors with matched VBE(ON) characteristics. This device is manufactured by the epitaxial planar process and epoxy molded in an SOT-563 surface mount package.MARKING CODE: 8CMSOT-563 CASE
cmlt8099.pdf
CMLT8099www.centralsemi.comSURFACE MOUNT SILICONDESCRIPTION:DUAL NPN TRANSISTORThe CENTRAL SEMICONDUCTOR CMLT8099 consists of two individual, isolated 8099 NPN silicon transistors, manufactured by the epitaxial planar process and epoxy molded in an SOT-563 surface mount package. This device has been designed for small signal general purpose amplifier applications.MARKING C
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Liste
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BJT: SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550 | HSS8050