CMLT8099M. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CMLT8099M

Маркировка: 8CM

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.35 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 80 V

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 80 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 6 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.5 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 150 °C

Электрические характеристики

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 150 MHz

Ёмкость коллекторного перехода (Cc): 6 pf

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 100

Корпус транзистора: SOT-563

 Аналоги (замена) для CMLT8099M

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

CMLT8099M даташит

 ..1. Size:616K  central
 cmlt8099m.pdf pdf_icon

CMLT8099M

CMLT8099M www.centralsemi.com SURFACE MOUNT SILICON DUAL, MATCHED DESCRIPTION NPN TRANSISTOR The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMLT8099M consists of two individual, isolated 8099 NPN silicon transistors with matched VBE(ON) characteristics. This device is manufactured by the epitaxial planar process and epoxy molded in an SOT-563 surface mount package. MARKING CODE 8CM SOT-563 CASE

 6.1. Size:520K  central
 cmlt8099.pdf pdf_icon

CMLT8099M

CMLT8099 www.centralsemi.com SURFACE MOUNT SILICON DESCRIPTION DUAL NPN TRANSISTOR The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMLT8099 consists of two individual, isolated 8099 NPN silicon transistors, manufactured by the epitaxial planar process and epoxy molded in an SOT-563 surface mount package. This device has been designed for small signal general purpose amplifier applications. MARKING C

Другие транзисторы: CMLT5551, CMLT5551HC, CMLT5554, CMLT591E, CMLT6427E, CMLT7410, CMLT7820, CMLT8099, D209L, CMLTA44, CMLTA94, CMNT3904E, CMNT3906E, CMPT2222AE, CMPT2907AE, CMPT3410, CMPT3820