CMNT3906E Todos los transistores

 

CMNT3906E . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CMNT3906E
   Código: CM
   Material: Si
   Polaridad de transistor: PNP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.25 W
   Tensión colector-base (Vcb): 60 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 40 V
   Tensión emisor-base (Veb): 6 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.2 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Transición de frecuencia (ft): 300 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 4 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 100
   Paquete / Cubierta: SOT-953
 

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CMNT3906E Datasheet (PDF)

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CMNT3906E

CMNT3904E NPNCMNT3906E PNPwww.centralsemi.comENHANCED SPECIFICATIONSURFACE MOUNT DESCRIPTION:COMPLEMENTARYThe CENTRAL SEMICONDUCTOR CMNT3904E SILICON TRANSISTORand CMNT3906E Low VCE(SAT) NPN and PNP Transistors, respectively, are designed for applications where ultra small size and power dissipation are the prime requirements. Packaged in an FEMTOmini SOT-953 packag

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CMNT3906E

CMNT3904E NPNCMNT3906E PNPwww.centralsemi.comENHANCED SPECIFICATIONSURFACE MOUNT DESCRIPTION:COMPLEMENTARYThe CENTRAL SEMICONDUCTOR CMNT3904E SILICON TRANSISTORand CMNT3906E Low VCE(SAT) NPN and PNP Transistors, respectively, are designed for applications where ultra small size and power dissipation are the prime requirements. Packaged in an FEMTOmini SOT-953 packag

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CMNT3906E

CMNT3904E NPNCMNT3906E PNPwww.centralsemi.comENHANCED SPECIFICATIONSURFACE MOUNT DESCRIPTION:COMPLEMENTARYThe CENTRAL SEMICONDUCTOR CMNT3904E SILICON TRANSISTORand CMNT3906E Low VCE(SAT) NPN and PNP Transistors, respectively, are designed for applications where ultra small size and power dissipation are the prime requirements. Packaged in an FEMTOmini SOT-953 packag

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