CMUT3410 . Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: CMUT3410
   Código: C43
   Material: Si
   Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Disipación total del dispositivo (Pc): 0.25 W
   Tensión colector-base (Vcb): 40 V
   Tensión colector-emisor (Vce): 25 V
   Tensión emisor-base (Veb): 6 V
   Corriente del colector DC máxima (Ic): 1 A
   Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Transición de frecuencia (ft): 100 MHz
   Capacitancia de salida (Cc): 6 pF
   Ganancia de corriente contínua (hfe): 100
   Paquete / Cubierta: SOT-523

Búsqueda de reemplazo de transistor bipolar CMUT3410

CMUT3410 Datasheet (PDF)

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cmut3410.pdf

CMUT3410 NPNCMUT7410 PNPwww.centralsemi.comSURFACE MOUNTDESCRIPTION:COMPLEMENTARY LOW VCE(SAT) The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMUT3410, and SILICON TRANSISTORSCMUT7410, are low VCE(SAT) silicon transistors in an ULTRAmini surface mount package designed for small signal general purpose amplifier and switching applications, requiring low collector emitter saturation voltage.

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cmut3906.pdf

CMUT3904 NPNCMUT3906 PNPwww.centralsemi.comSURFACE MOUNTDESCRIPTION:COMPLEMENTARYThe CENTRAL SEMICONDUCTOR CMUT3904, SILICON TRANSISTORSCMUT3906 types are complementary silicon transistors manufactured by the epitaxial planar process, epoxy molded in an ULTRAmini surface mount package, designed for small signal general purpose amplifier and switching applications.MA

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cmut3904.pdf