D3DD9D Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: D3DD9D

Material: Si

Polaridad de transistor: NPN

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pc): 150 W

Tensión colector-emisor (Vce): 200 V

Tensión emisor-base (Veb): 5 V

Corriente del colector DC máxima (Ic): 10 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Ganancia de corriente contínua (hFE): 600

Encapsulados: TO-3

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D3DD9D datasheet

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D3DD9D

Shaanxi Qunli Electric Co., Ltd Add. No. 1 Qunli Road,Baoji City,Shaanxi,China D3DD9D NPN Silicon Darlington High Power Transistor Features 1. Using triple-diffusion process.High output current. Small driving power. 2. Highest amplification factor. High inverse voltage. 3. Implementation of standards GJB33 A-97, QZJ840611A, QZJ840611 4. Use for current output,voltage adjustment a

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