Справочник транзисторов. D3DD9D

 

Биполярный транзистор D3DD9D Даташит. Аналоги


   Наименование производителя: D3DD9D
   Тип материала: Si
   Полярность: NPN
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 150 W
   Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 200 V
   Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V
   Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A
   Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C
   Статический коэффициент передачи тока (hfe): 600
   Корпус транзистора: TO-3
 

 Аналог (замена) для D3DD9D

   - подбор ⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

D3DD9D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:23K  shaanxi
 d3dd9d.pdf pdf_icon

D3DD9D

Shaanxi Qunli Electric Co., Ltd Add.:No. 1 Qunli Road,Baoji City,Shaanxi,China D3DD9DNPN Silicon Darlington High Power Transistor Features: 1. Using triple-diffusion process.High output current. Small driving power. 2. Highest amplification factor. High inverse voltage. 3. Implementation of standards: GJB33 A-97, QZJ840611A, QZJ840611 4. Use for current output,voltage adjustment a

Другие транзисторы... CMXT3904 , CMXT3906 , CMXT3946 , CMXT7090L , D1815-R , D1816 , D29D30 , D304X , S9014 , D44H11G , D44H8G , D44VH10G , D45H11G , D45H1B , D45H8G , D45VH10G , D471A .

 

 
Back to Top

 


 
.