D3DD9D. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: D3DD9D

Тип материала: Si

Полярность: NPN

Предельные значения

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 150 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер (Uce): 200 V

Макcимально допустимое напряжение эмиттер-база (Ueb): 5 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 10 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 175 °C

Электрические характеристики

Статический коэффициент передачи тока (hFE): 600

Корпус транзистора: TO-3

 Аналоги (замена) для D3DD9D

- подборⓘ биполярного транзистора по параметрам

 

D3DD9D даташит

 ..1. Size:23K  shaanxi
 d3dd9d.pdf pdf_icon

D3DD9D

Shaanxi Qunli Electric Co., Ltd Add. No. 1 Qunli Road,Baoji City,Shaanxi,China D3DD9D NPN Silicon Darlington High Power Transistor Features 1. Using triple-diffusion process.High output current. Small driving power. 2. Highest amplification factor. High inverse voltage. 3. Implementation of standards GJB33 A-97, QZJ840611A, QZJ840611 4. Use for current output,voltage adjustment a

Другие транзисторы: CMXT3904, CMXT3906, CMXT3946, CMXT7090L, D1815-R, D1816, D29D30, D304X, 2SC2073, D44H11G, D44H8G, D44VH10G, D45H11G, D45H1B, D45H8G, D45VH10G, D471A