D882M Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: D882M 📄📄
Material: Si
Polaridad de transistor: NPN
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pc): 1.25 W
Tensión colector-base (Vcb): 40 V
Tensión colector-emisor (Vce): 30 V
Tensión emisor-base (Veb): 5 V
Corriente del colector DC máxima (Ic): 3 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Transición de frecuencia (fT): 90 MHz
Ganancia de corriente contínua (hFE): 60
Encapsulados: TO-252-2L
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D882M datasheet
d882m.pdf
JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD TO-252-2L Plastic-Encapsulate Transistors D882M TRANSISTOR (NPN) TO-252-2L FEATURES 1. BASE Power Dissipation 2. COLLECTOR MAXIMUM RATINGS (Ta=25 unless otherwise noted) 3 .EMITTER Symbol Parameter Value Unit VCBO Collector-Base Voltage 40 V VCEO Collector-Emitter Voltage 30 V VEBO Emitter-Base Voltage 5 V IC Colle
Otros transistores... D44VH10G, D45H11G, D45H1B, D45H8G, D45VH10G, D471A, D596, D882H, 2SA1837, D965ASS, D965-R, D965SS, D965-T, D965V, DBC846BPDW1T1G, DBC847BPDW1T1G, DBC847CPDW1T1G
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
BJT: GA1A4M | SBT42 | 2SA200-Y | 2SA200-O | 2SD882-Q | 2SD882-P | 2SD882-E | 2SC945-L | 2SC945-H | 2SC4226-R23 | 2SC3357-F | 2SC3357-E | 2SC3356-R26 | 2SC3356-R24 | 2SC3356-R23 | 2SB772-Q | 2SB772-P | 2SB772-E | 2SA1015-L | 2SA1015-H | HSS8550
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